Professoren
Prof. Dr. Heidrun Bethge

Prof. Dr. Heidrun Bethge

• Studiengangsverantwortung Wirtschaftsinformatik
• Gleichstellungsbeauftragte

H. J. Elmers, J. Hauschild, H. Höche, U. Gradmann, H. Bethge, D. Heuer, U. Köhler, „Submonolayer magnetism of Fe(110) on W(110): Finite width scaling of stripes and percolation between islands“, Phys. Rev. Lett. 73, 6 (1994) 898

H. Bethge, D. Heuer, Ch. Jensen, K. Reshöft, U. Köhler, „Misfit-related effects in the epitaxial growth of iron on W(110)“, Surf. Sci. 331 (1995) 878

U. Köhler, L. Andersohn, H. Bethge, „The influence of Hydrogen on CVD-growth on Si(111) surfaces“, phys. stat. sol. (a) 159 (1997) 39

M. L. Larsson, H. Bethge, U. Köhler, S. Menke, M. Henzler, „Random-walk mechanism for step retraction on hydrogen-etched Si(111)“, Phys. Rev. B 56,3 (1997) 1021

A. A. Saranin, V. G. Lifshits, K. V. Ignatovich, H. Bethge, R. Kayser, H. Goldbach, A. Klust, J. Wollschläger, M. Henzler, „Restructuring process of the Si(111) surface upon Ca deposition“, Surf. Sci. 448 (2000) 87-92

H. Bethge, „Wasserstoffätzen und Erzeugung von Silberquantendrähten auf Silizium“, Fortschritt-Berichte VDI, Reihe 9 Elektronik, Nr. 287

Deutsches Patent Nr. 199 06 960.3-52
H. Bethge, U. Köhler „Verfahren zur Erzeugung von metallenen Strukturen im Nanometer-Bereich (nm-Bereich) auf leitenden Oberflächen“

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